和N型半导体的交界面形成的那一正负空间电荷层叫阻挡层，又称PN结。PN结加正向电压时，电流容易通过；加反向电压时，电流难以通过。这种只允许单方向电流通过的性质叫单向导电性。��

2．三极管及其工作原理��

(1)三极管的发明。1947年12月，美国贝尔实验室成功研究了世界第一只点接触型半导体三极管。半导体三极管一般简称为晶体管。它的出现是继真空电子管之后电子元件的重大突破。它很快地投入生产，取代了真空管的地位。��

(2)半导体三极管的结构和放大原理。半导体三极管基本上都由一块具有两个PN结的半导体单晶体所构成。��

3．集成电路��

(1)集成电路的诞生。1960年美国制成第一块集成电路。其后二十余年集成电路有了长足发展。人们通常把电子管称为第一代电子器件、把晶体管称为第二代电子器件、把集成电路称为第三代电子器件、把大规模集成电路称为第四代电子器件。��

(2)集成电路的种类。集成电路分为小规模、中规模、大规模和超大规模集成电路。一般每片上的集成度少于一百个元件或小于十个门电路叫小规模集成电路。集成度在一百至一千个元件之间，或在十至一百个门电路之间叫中规模集成电路。集成度在一千个元件以上或一百个门电路以上叫大规模集成电路。集成度达十万个元件以上，或等效于一万个门电路的则称为超大规模集成电路。人们按照集成电路用途的不同，又把它分为数字集成电路及模拟集成电路两类。目前应用最广泛的是半导体数字集成电路。在数字电路系统中，常用“0”表示低电位；“1”表示高电位。数字电路系统所处理的信号，通常有两种对立的状态，而电路的基本任务是实现某种逻辑功能。在电子线路中，分别把实现这种逻辑关系的电路称为“与门”电路、“或门”电路、“非门”电路。��

(3)集成电路的发展。集成电路出现后发展十分迅速。据估计，到本世纪末集成电路的集成度将达到几十亿。集成电路已成为计算机技术、微电子技术发展水平的重要标志。微电子技术是指在半导体材料上采用微米级线度加工处理的技术，微电子技术的核心是集成电路技术。所以代表微电子技术水平的是集成电路水平。��

随着微电子技术进入大规模集成电路时代。提高集成电路的集成度成为集成电路进一步发展的技术关键。提高集成电路集成度的途径有三点：①缩小元件尺寸；②加大芯片尺寸；③革新电路设计。集成电路技术的发展，将会使微电子工业的结构发生重大改变。��

�� □ 激光技术与光导纤维通讯

激光科学技术是本世纪六十年代发展起来的最活跃的科技领域。激光的出现，标志着人类对光的掌握和利用进入一个新阶段。光导纤维是当今新技术革命的一个重要领域，它和激光技术、微电子技术结合，促进了信息革命的发展，推动着信息时代的到来。��

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